Pàgina d'iniciMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies Inc
6,19 $
Preobertura:(0,00 %)0,00
6,19 $
Tancat: 13 de gen., 4:00:00 GMT-5 · USD · NASDAQ · Exempció de responsabilitat
Tancament anterior
6,38 $
Interval de preus d'avui
6,17 $ - 6,39 $
Interval anual
4,89 $ - 9,39 $
Capitalit. borsària
136,01 M USD
Volum mitjà
118,51 k
Ràtio PER
90,05
Rendibilitat per dividend
-
Borsa principal
NASDAQ
Notícies dels mercats
Finances
Balanç de resultats
Ingressos
Ingressos nets
(USD) | set. del 2024info | Variació interanual |
---|---|---|
Ingressos | 12,09 M | -26,56 % |
Despesa d'explotació | 8,07 M | 1,60 % |
Ingressos nets | 2,27 M | -6,85 % |
Marge de benefici net | 18,78 | 26,81 % |
Benefici per acció | 0,17 | 1,39 % |
Ebitda | -1,71 M | -175,56 % |
Taxa impositiva efectiva | 0,44 % | — |
Balanç
Actiu total
Passiu total
(USD) | set. del 2024info | Variació interanual |
---|---|---|
Efectiu i invers. a curt terme | 39,59 M | 13,32 % |
Actiu total | 72,60 M | 15,25 % |
Passiu total | 13,33 M | 5,45 % |
Capital total | 59,27 M | — |
Accions en circulació | 21,97 M | — |
Ràtio cotització-valor | 2,35 | — |
Rendiment | -7,71 % | — |
Rendibilitat d'inversió | -8,46 % | — |
Flux de caixa
Variació neta de l'efectiu
(USD) | set. del 2024info | Variació interanual |
---|---|---|
Ingressos nets | 2,27 M | -6,85 % |
Efectiu d'operacions | 2,84 M | -20,17 % |
Efectiu d'inversió | -63,00 k | -270,59 % |
Efectiu de finançament | 49,00 k | -91,34 % |
Variació neta de l'efectiu | 2,82 M | -31,19 % |
Flux de caixa lliure | -768,88 k | -133,01 % |
Informació
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Data de fundació
2008
Seu principal
Lloc web
Empleats
83