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Everspin Technologies Inc
6,19 $
Vorbörse:(0,00 %)0,00
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Geschlossen: 13. Jan., 04:00:00 GMT-5 · USD · NASDAQ · Haftungsausschluss
Letzter Kursschluss
6,38 $
Preisspanne heute
6,17 $ - 6,39 $
Preisspanne im Jahr
4,89 $ - 9,39 $
Marktkapitalisierung
136,01 Mio. USD
Durchschnittliches Volumen
118.513,00
KGV
90,05
Dividendenrendite
-
Primärbörse
NASDAQ
Marktnachrichten
Finanzdaten
Gewinn- und Verlustrechnung (GuV)
Umsatz
Nettogewinn
(USD) | Sept. 2024info | Veränd. Jahresvgl. |
---|---|---|
Umsatz | 12,09 Mio. | -26,56 % |
Betriebskosten | 8,07 Mio. | 1,60 % |
Nettogewinn | 2,27 Mio. | -6,85 % |
Nettoumsatzrendite | 18,78 | 26,81 % |
Gewinn je Aktie | 0,17 | 1,39 % |
EBITDA | -1,71 Mio. | -175,56 % |
Effektiver Steuersatz | 0,44 % | — |
Bilanz
Gesamtvermögen
Gesamtverbindlichkeiten
(USD) | Sept. 2024info | Veränd. Jahresvgl. |
---|---|---|
Bar- und kurzfr. Invest. | 39,59 Mio. | 13,32 % |
Gesamtvermögen | 72,60 Mio. | 15,25 % |
Gesamtverbindlichkeiten | 13,33 Mio. | 5,45 % |
Gesamtkapital | 59,27 Mio. | — |
Ausgegebene Aktien | 21,97 Mio. | — |
Kurs-Buchwert-Verhältnis | 2,35 | — |
Gesamtkapitalrentabilität | -7,71 % | — |
Kapitalrendite | -8,46 % | — |
Cashflow
Zahlungswirksame Veränderung des Finanzmittelbestands
(USD) | Sept. 2024info | Veränd. Jahresvgl. |
---|---|---|
Nettogewinn | 2,27 Mio. | -6,85 % |
Operativer Cashflow | 2,84 Mio. | -20,17 % |
Barmittel aus Invest. | -63.000,00 | -270,59 % |
Barmittel aus Finanzierung | 49.000,00 | -91,34 % |
Zahlungswirksame Veränderung des Finanzmittelbestands | 2,82 Mio. | -31,19 % |
Ungehinderter Cashflow | -768.875,00 | -133,01 % |
Info
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Gegründet
2008
Hauptsitz
Website
Mitarbeiter
83