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Everspin Technologies
6,19 $
Avant l'ouverture :(0,00 %)0,00
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Fermé : 13 janv., 04:00:00 UTC−5 · USD · NASDAQ · Clause de non-responsabilité
Dernière clôture
6,38 $
Variation sur la journée
6,17 $ - 6,39 $
Plage sur l'année
4,89 $ - 9,39 $
Capitalisation boursière
136,01 M USD
Volume moyen
118,51 k
Ratio cours/bénéfices
90,05
Rendement (dividendes)
-
Place boursière principale
NASDAQ
Actualités des marchés
Données financières
Compte de résultat
Chiffre d'affaires
Résultat net
(USD) | sept. 2024info | Variation Y/Y |
---|---|---|
Chiffre d'affaires | 12,09 M | -26,56 % |
Charges d'exploitation | 8,07 M | 1,60 % |
Résultat net | 2,27 M | -6,85 % |
Marge bénéficiaire nette | 18,78 | 26,81 % |
Bénéfice par action | 0,17 | 1,39 % |
EBITDA | -1,71 M | -175,56 % |
Taux d'imposition effectif | 0,44 % | — |
Bilan
Total des actifs
Total du passif
(USD) | sept. 2024info | Variation Y/Y |
---|---|---|
Trésorerie/Invest. court terme | 39,59 M | 13,32 % |
Total des actifs | 72,60 M | 15,25 % |
Total du passif | 13,33 M | 5,45 % |
Total des capitaux propres | 59,27 M | — |
Actions en circulation | 21,97 M | — |
Ratio cours/valeur comptable | 2,35 | — |
Rentabilité des actifs | -7,71 % | — |
Retour sur capitaux | -8,46 % | — |
Flux de trésorerie
Variation nette en trésorerie
(USD) | sept. 2024info | Variation Y/Y |
---|---|---|
Résultat net | 2,27 M | -6,85 % |
Trésorerie (opérations) | 2,84 M | -20,17 % |
Trésorerie (invest.) | -63,00 k | -270,59 % |
Trésorerie (financement) | 49,00 k | -91,34 % |
Variation nette en trésorerie | 2,82 M | -31,19 % |
Flux de trésorerie dispo. | -768,88 k | -133,01 % |
À propos
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Date de fondation
2008
Siège social
Site Web
Employés
83