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Everspin Technologies Inc
6,19 $
Pre-market:(0,00%)0,00
6,19 $
Data e ora chiusura: 13 gen, 04:00:00 GMT-5 · USD · NASDAQ · Disclaimer
Chiusura precedente
6,38 $
Intervallo giornaliero
6,17 $ - 6,39 $
Intervallo annuale
4,89 $ - 9,39 $
Cap di mercato
136,01 Mln USD
Volume medio
118.513,00
Rapporto P/E
90,05
Dividendo/Prezzo
-
Borsa valori principale
NASDAQ
Notizie del mercato finanziario
Dati finanziari
Conto economico
Entrate
Utile netto
(USD) | set 2024info | Variazione Y/Y |
---|---|---|
Entrate | 12,09 Mln | -26,56% |
Spese di gestione | 8,07 Mln | 1,60% |
Utile netto | 2,27 Mln | -6,85% |
Margine di profitto netto | 18,78 | 26,81% |
Utili per azione | 0,17 | 1,39% |
EBITDA | -1,71 Mln | -175,56% |
Aliquota fiscale effettiva | 0,44% | — |
Stato patrimoniale
Totale attivo
Totale passivo
(USD) | set 2024info | Variazione Y/Y |
---|---|---|
Investimenti cash/breve termine | 39,59 Mln | 13,32% |
Totale attivo | 72,60 Mln | 15,25% |
Totale passivo | 13,33 Mln | 5,45% |
Patrimonio netto totale | 59,27 Mln | — |
Azioni in circolazione | 21,97 Mln | — |
Prezzo/valore contabile | 2,35 | — |
Redditività dell'attivo | -7,71% | — |
Rendimento sul capitale | -8,46% | — |
Flusso di cassa
Flusso di cassa netto
(USD) | set 2024info | Variazione Y/Y |
---|---|---|
Utile netto | 2,27 Mln | -6,85% |
Liquidità di esercizio | 2,84 Mln | -20,17% |
Contanti da investimenti | -63.000,00 | -270,59% |
Contanti da finanziamenti | 49.000,00 | -91,34% |
Flusso di cassa netto | 2,82 Mln | -31,19% |
Flusso di cassa libero | -768.875,00 | -133,01% |
Informazioni
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Fondazione
2008
Sito web
Dipendenti
83