PagrindinisMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies Inc
6,19 $
Prieš atidarant biržą:(0,00 %)0,00
6,19 $
Uždaryta: 01-13, 04:00:00 GMT−5 · USD · NASDAQ · Atsisakymas
Ankstesnė uždarymo kaina
6,38 $
Dienos intervalas
6,17 $ - 6,39 $
Metų intervalas
4,89 $ - 9,39 $
Bendroji vertė rinkoje
136,01 mln. USD
Vidutinė prekybos apimtis
118,51 tūkst.
Kainos ir pajamų santykis
90,05
Pajamos iš dividendų
-
Pagrindinė akcijų birža
NASDAQ
Rinkos naujienos
Finansiniai rodikliai
Pajamų ataskaita
Pajamos
Grynosios pajamos
| (USD) | 2024-09info | Metinis pokytis |
|---|---|---|
Pajamos | 12,09 mln. | −26,56 % |
Veiklos sąnaudos | 8,07 mln. | 1,60 % |
Grynosios pajamos | 2,27 mln. | −6,85 % |
Grynojo pelno marža | 18,78 | 26,81 % |
Pelnas tenkantis vienai akcijai | 0,17 | 1,39 % |
EBITDA | −1,71 mln. | −175,56 % |
Taikomas mokesčio tarifas | 0,44 % | — |
Balansas
Visas turtas
Visi įsipareigojimai
| (USD) | 2024-09info | Metinis pokytis |
|---|---|---|
Lėšos, trump. investicijos | 39,59 mln. | 13,32 % |
Visas turtas | 72,60 mln. | 15,25 % |
Visi įsipareigojimai | 13,33 mln. | 5,45 % |
Visos paprastosios akcijos | 59,27 mln. | — |
Išleistos akcijos | 21,97 mln. | — |
Kaina / apskaitinė vertė | 2,35 | — |
Turto grąža | −7,71 % | — |
Kapitalo grąža | −8,46 % | — |
Pinigų srautas
Grynasis pokytis (grynaisiais pinigais)
| (USD) | 2024-09info | Metinis pokytis |
|---|---|---|
Grynosios pajamos | 2,27 mln. | −6,85 % |
Pinigai iš operacijų | 2,84 mln. | −20,17 % |
Pinigai iš investicijų | −63,00 tūkst. | −270,59 % |
Pinigai iš finansavimo | 49,00 tūkst. | −91,34 % |
Grynasis pokytis (grynaisiais pinigais) | 2,82 mln. | −31,19 % |
Laisvas pinigų srautas | −768,88 tūkst. | −133,01 % |
Apie
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Įkurta
2008
Pagrindinė būstinė
Svetainė
Darbuotojų skaičius
83
