SākumlapaMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies Inc
6,19 $
Pirms biržas darba laika:(0,00%)0,00
6,19 $
Slēgts: 13. janv., 04:00:00 GMT-5 · USD · NASDAQ · Atruna
Slēgšanas kurss
6,38 $
Dienas diapazons
6,17 $ - 6,39 $
Gada diapazons
4,89 $ - 9,39 $
Tirgus kapitalizāc.
136,01 milj. USD
Vid. apjoms
118,51 tūkst.
P/E koeficients
90,05
Ienākumi no dividendēm
-
Galvenā birža
NASDAQ
Tirgus ziņas
Finanšu rādītāji
Ienākumu deklarācija
Ieņēmumi
Neto ienākumi
(USD) | 2024. g. sept.info | Izmaiņas gada laikā |
---|---|---|
Ieņēmumi | 12,09 milj. | -26,56% |
Darbības izdevumi | 8,07 milj. | 1,60% |
Neto ienākumi | 2,27 milj. | -6,85% |
Neto peļņa | 18,78 | 26,81% |
Ieņēmumi par akciju | 0,17 | 1,39% |
EBITDA | -1,71 milj. | -175,56% |
Spēkā esošā nodokļu likme | 0,44% | — |
Bilance
Kopējie aktīvi
Kopējās saistības
(USD) | 2024. g. sept.info | Izmaiņas gada laikā |
---|---|---|
Naudas un īstermiņa ieguldījumi | 39,59 milj. | 13,32% |
Kopējie aktīvi | 72,60 milj. | 15,25% |
Kopējās saistības | 13,33 milj. | 5,45% |
Kopējais kapitāls | 59,27 milj. | — |
Neapmaksātās akcijas | 21,97 milj. | — |
Cenas/bilances attiecība | 2,35 | — |
Atdeve no aktīviem | -7,71% | — |
Atdeve no kapitāla | -8,46% | — |
Naudas plūsma
Neto izmaiņas skaidrā naudā
(USD) | 2024. g. sept.info | Izmaiņas gada laikā |
---|---|---|
Neto ienākumi | 2,27 milj. | -6,85% |
Nauda no uzņēmuma darbības | 2,84 milj. | -20,17% |
Nauda no ieguldījumiem | -63,00 tūkst. | -270,59% |
Nauda no finansējuma | 49,00 tūkst. | -91,34% |
Neto izmaiņas skaidrā naudā | 2,82 milj. | -31,19% |
Brīva naudas plūsma | -768,88 tūkst. | -133,01% |
Par
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Dibināšanas datums
2008
Galvenais birojs
Tīmekļa vietne
Darbinieki
83