Почетна страницаMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies Inc
6,19 $
Пред отворање на берзата:(0,00 %)0,00
6,19 $
Затворени: 13 јан., 04:00:00 GMT-5 · USD · NASDAQ · Оградување
Прет. посл. цена
6,38 $
Дневен опсег
6,17 $ - 6,39 $
Годишен опсег
4,89 $ - 9,39 $
Пазарна капитализација
136,01 М USD
Просечен обем
118,51 илј.
Сооднос Ц/З
90,05
Принос од дивиденда
-
Примарна берза
NASDAQ
Вести за пазарот
Финансиски податоци
Биланс на успех
Приход
Нето приход
(USD) | сеп. 2024 г.info | Г/Г промена |
---|---|---|
Приход | 12,09 мил. | -26,56 % |
Оперативни трошоци | 8,07 мил. | 1,60 % |
Нето приход | 2,27 мил. | -6,85 % |
Маргина на нето профит | 18,78 | 26,81 % |
Заработка по акција | 0,17 | 1,39 % |
EBITDA | -1,71 мил. | -175,56 % |
Ефективна даночна стапка | 0,44 % | — |
Биланс на состојба
Вкупно средства
Вкупно пасива
(USD) | сеп. 2024 г.info | Г/Г промена |
---|---|---|
Краткорочни и инвестиции во кеш | 39,59 мил. | 13,32 % |
Вкупно средства | 72,60 мил. | 15,25 % |
Вкупно пасива | 13,33 мил. | 5,45 % |
Вкупен капитал | 59,27 мил. | — |
Акции во оптек | 21,97 мил. | — |
Цена за резервирање | 2,35 | — |
Поврат на актива | -7,71 % | — |
Поврат на капитал | -8,46 % | — |
Проток на готовина
Нето промена на готовина
(USD) | сеп. 2024 г.info | Г/Г промена |
---|---|---|
Нето приход | 2,27 мил. | -6,85 % |
Готовина од работењето | 2,84 мил. | -20,17 % |
Готовина од инвестирање | -63,00 илј. | -270,59 % |
Готовина од финансирање | 49,00 илј. | -91,34 % |
Нето промена на готовина | 2,82 мил. | -31,19 % |
Слободен проток на пари | -768,88 илј. | -133,01 % |
За
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Основана на
2008
Веб-сајт
Вработени
83