Strona głównaMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies Inc
6,19 $
Przed otwarciem giełdy:(0,00%)0,00
6,19 $
Zamknięte: 13 sty, 04:00:00 GMT-5 · USD · NASDAQ · Wyłączenie odpowiedzialności
Poprz. zamknięcie
6,38 $
Zakres dzienny
6,17 $ - 6,39 $
Zakres roczny
4,89 $ - 9,39 $
Kapitalizacja rynkowa
136,01 mln USD
Śr. liczba
118,51 tys.
Wskaźnik C/Z
90,05
Dochód z dywidendy
-
Główna giełda
NASDAQ
Wiadomości rynkowe
Finansowe
Rachunek wyników
Przychód
Dochód netto
(USD) | wrz 2024info | Zmiana R/R: |
---|---|---|
Przychód | 12,09 mln | -26,56% |
Koszty operacyjne | 8,07 mln | 1,60% |
Dochód netto | 2,27 mln | -6,85% |
Marża zysku netto | 18,78 | 26,81% |
Zysk na akcję | 0,17 | 1,39% |
EBITDA | -1,71 mln | -175,56% |
Efektywna stawka podatkowa | 0,44% | — |
Bilans finansowy
Aktywa łącznie
Zobowiązania łącznie
(USD) | wrz 2024info | Zmiana R/R: |
---|---|---|
Inwestycje gotówkowe i krótkoterminowe | 39,59 mln | 13,32% |
Aktywa łącznie | 72,60 mln | 15,25% |
Zobowiązania łącznie | 13,33 mln | 5,45% |
Łączny kapitał | 59,27 mln | — |
Należne akcje | 21,97 mln | — |
Wskaźnik P/BV | 2,35 | — |
Wskaźnik rentowności aktywów | -7,71% | — |
Zwrot z kapitału | -8,46% | — |
Przepływ środków pieniężnych
Zmiana netto stanu środków pieniężnych
(USD) | wrz 2024info | Zmiana R/R: |
---|---|---|
Dochód netto | 2,27 mln | -6,85% |
Gotówka z operacji | 2,84 mln | -20,17% |
Środki z inwestycji | -63,00 tys. | -270,59% |
Środki z finansowania | 49,00 tys. | -91,34% |
Zmiana netto stanu środków pieniężnych | 2,82 mln | -31,19% |
Wolne przepływy pieniężne | -768,88 tys. | -133,01% |
Informacje
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Data i miejsce założenia
2008
Główne siedziby
Strona internetowa
Pracownicy
83