StartsidaMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies Inc
6,19 $
Före öppningsdags:(0,00 %)0,00
6,19 $
Stängt: 13 jan., 04:00:00 GMT−5 · USD · NASDAQ · Ansvarsfriskrivning
Föregående stängning
6,38 $
Dygnsintervall
6,17 $ - 6,39 $
Årsintervall
4,89 $ - 9,39 $
Börsvärde
136,01 mn USD
Genomsnittlig volym
118,51 tn
P/E-tal
90,05
Direktavkastning
-
Primär börs
NASDAQ
Ekonominyheter
Ekonomi
Resultaträkning
Intäkter
Nettoinkomst
(USD) | sep. 2024info | Förändring Y/Y |
---|---|---|
Intäkter | 12,09 mn | −26,56 % |
Rörliga kostnader | 8,07 mn | 1,60 % |
Nettoinkomst | 2,27 mn | −6,85 % |
Nettovinstmarginal | 18,78 | 26,81 % |
Vinst per aktie | 0,17 | 1,39 % |
EBITDA | −1,71 mn | −175,56 % |
Giltig skattesats | 0,44 % | — |
Balansräkning
Totala tillgångar
Totala ansvarsskyldigheter
(USD) | sep. 2024info | Förändring Y/Y |
---|---|---|
Kontanta och kortsiktiga investeringar | 39,59 mn | 13,32 % |
Totala tillgångar | 72,60 mn | 15,25 % |
Totala ansvarsskyldigheter | 13,33 mn | 5,45 % |
Totala tillgångar | 59,27 mn | — |
Utestående aktier | 21,97 mn | — |
P/B | 2,35 | — |
Avkastning på tillgångar | −7,71 % | — |
Avkastning på kapital | −8,46 % | — |
Kassaflöde
Förändring i nettokassa
(USD) | sep. 2024info | Förändring Y/Y |
---|---|---|
Nettoinkomst | 2,27 mn | −6,85 % |
Kontanter från verksamhet | 2,84 mn | −20,17 % |
Kontanter från investering | −63,00 tn | −270,59 % |
Kontanter från finansiering | 49,00 tn | −91,34 % |
Förändring i nettokassa | 2,82 mn | −31,19 % |
Fritt kassaflöde | −768,88 tn | −133,01 % |
Om
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Grundades
2008
Huvudkontor
Hemsida
Anställda
83